如前一篇文章〈變程躍遷導電復仇記〉中所述,A. L. Efros和B. I. Shklovskii(以下簡稱ES)兩人的修訂版變程躍遷導電(variable-range- hopping conduction、簡稱VRH導電)理論預測在摻雜半導體中,導電的過程有 \( \rho \propto exp \sqrt{T {ES}/T}\)的電阻率對溫度的依賴行為;式中 \(T {ES} > T\),\(T {ES}\) 是一個和樣品相關的常數,\(T\) 是樣品溫度。事實上,VRH導電理論是由N. F. Mott首先提出的,\(ES\) 兩人則在Mott理論的架構中,加進電子—電洞(electron-hole)庫倫位能效應,而得到以上的電阻率公式。[1]