發散電子繞射技術：觀測二維材料奈米級撓曲的新技術

中研院物理研究所黃英碩研究員帶領的實驗團隊與瑞士的理論學者合作，發展了「發散電子束繞射技術」，能觀測二維材料奈米級撓曲。 

研究顯示，實驗取得的高角度繞射訊號中夾帶著石墨烯碳原子的三維位移資訊。我們發現使用低能量發散電子束(50-250 eV)局部照射石墨烯時，可觀測石墨烯的奈米級撓曲，位移的靈敏度可小至1 Å 。由繞射圖形的細節可區分橫向及縱向撓曲，甚至可判定縱向相較於電子源方向為凸起或凹下。除了石墨烯，此項新技術將可運用於研究二維材料中奈米級撓曲的動態行為。此技術亦顯示，二維材料的三維形貌及應變將可能藉由演算法重建繞射圖形得以實現

感謝中央研究院物理所同意轉載。
文章刊載於：Nature Communications 8, 14440 (2017)